FETs a wéi si schaffen

FETs sinn déi semiconductor Apparater, de Prinzip vun der Exploitatioun vun deem op d'Resistenz vun engem Queeschformat elektrescht Feld vun modulation vun der semiconductor Material baséiert ass.

D'Ënnerscheedung Fonktioun vun dëser Zort vun Apparat ass, dass den Terrain Effekt transistors hunn eng héich Volt gewannen an engem héich Resistenz op d'Entréeën.

An dës Apparater an der Kreatioun vun engem elektresche Stroum Vitesse nëmmen wwerreeche vun der selwechter Zort sinn Équipe (Elektronepueren).

Et ginn zwou Zorte vu FETs:

- eng TIR Struktur mussen, i.e. Metal, gefollegt vun engem dielectric, dann de semiconductor (Miś);

- mat pn-Échangeur Managing.

D'Struktur vun der einfach Terrain Effekt Transister ëmfaasst eng Schossel vun engem semiconductor Material dass een pn-Iwwergank nëmmen am Zentrum an ohmic Kontakter um Bord feieren.

D'Elektroden an esou engem Apparat duerch déi engem Dirigent Kanal Vitesse wwerreeche sinn Quell an der Elektroden onglécklech déi gedränkt vum Kanal ofgezeechent - verrëngeren.

Heiansdo geschitt ass, datt esou eng mächteg Schlëssel Apparat aus Uerdnung. Also, an der Reparatur vu keng elektronesch Geräter ass oft néideg der FET ze kontrolléieren.

Maachen dëst, vypayat Apparat, well et net op der elektronescher Circuit kontrolléieren kënnen un. An dann, folgenden spezifesche Uweisungen, viru zu Kees.

Terrain Effekt transistors hunn zwee Betribssystemer MODES - dynamesch a Schlëssel.

Transister Operatioun - ass eent vun deenen der Transister vun zwee Staaten ass - an eng ganz oppen oder ganz zougemaach. Mä dëst Mëttelstuf Staat, wann de Volet ass op Liicht feelen.

Am Fall ideal, wann de Transister ass "Open", i.e. ass de sougenannten Samschten Modus, impedance tëscht de Statiounen "drain" an "Quell" zu null.

Power Verloscht während dem Open Staat Volt schéngt Produit (gläich ze null) an de Montant vun aktuell. Doduercher, ass Muecht dissipation null.

Am cutoff Modus, i.e. wann der Transister spären, der Resistenz tëscht sengem "verrëngeren / Quell Wee" deduces zu Infinity trëtt. Power dissipation am zougemaach Staat ass de Produit vun der Volt ganze aktuelle Wäert t'selwecht null. Anere Wierder, Muecht Verloscht = 0.

Et stellt sech eraus, datt de Schlëssel Modus vun transistors Muecht Verloscht ass null.

An der Praxis, an oppen Transister, e puer Resistenz "verrëngeren / Quell Wee" wäert natierlech, ginn presentéieren. Mat zougemaach Transister fir dës Conclusiounen déi aktuell nach niddereg Wäert existeiert. Doduercher, Muecht Verloscht vun engem statesch Modus am Transister ass minimal.

Eng dynamesch, wann d'Transister zougemaach ass oder opgemaach, boosts seng linear Regioun de Betribssystemer Punkt wou déi aktuell duerch d'Transister leeft, Han Halschent vun der verrëngeren aktuell ass. Mee Volt "ënnerzegoen / Source" erreecht oft d'Halschent maximal Wäert. Doduercher, stellt de dynamesch Bewëllegung Modus Transister grouss Muecht Verloscht, deen de "nee" de Schlëssel Modus Aussergewéinlecht Eegeschafte reduzéiert.

Mä, am Tour, länger Belaaschtung vun der Transister am dynamesch Modus ass méi kleng wéi d'Längt vun Openthalt am statesch Modus. Als Resultat, d'Effizienz vun deem engem Transister Etapp am Wiessel Modus bedreift, ass ganz héich a kann nonzeg dräi bis nonzeg-aacht Prozent ginn.

Terrain Effekt transistors déi am uewen Modus Bedreiwen, si genuch dicht an Muecht Ëmwandlung Unitéiten, eng Zäit Muecht Quellen benotzt, de Wasserstoff Etappe vu bestëmmte Sendere an asw.