ComputerenEquipement

Wéi heescht der Flash Erënnerung?

D'Wuert "Flash Erënnerung" ass elo op jiddereen d'ufänken. De Begrëff "Flash fueren" souguer éischte-manner spektakulär am Gespréich ass oft benotzt ginn. Dës Technik mat schéinen Vitesse verdengten Popularitéit. Desweideren, soe vill Analysten datt an der nächster Zukunft Flash Erënnerung Stockéieren Apparaten baséiert op Magnéitfeld hunn schounen gëtt. Wat bleift ass nëmmen d'Entwécklung Fortschrëtt a seng Virdeeler ze observéieren. Verwonnerlech, vill, vun dësem neie Produit allgemengen, bal bewosst, dass esou eng Flash Erënnerung. Op der engersäits, muss de Benotzer an d'Apparat geschafft, a wéi et stécht senge Funktiounen - kleng Themen. Mä fir op d'mannst eng Basis Versteesdemech néideg fir all gebilt Persoun hunn.

Wat ass Flash Erënnerung?

Wéi dir wësst, hu Computeren verschidden Zorte vu Stockéieren Apparaten: Erënnerung Moduler, schwéier fiert an opteschen fiert. De leschten zwee - et d'electromechanical Léisungen. Mee insgesamt - voll elektronesch Apparat. Ass eng Kollektioun vun transistors op engem Chip engem speziellen Chip zesummekomm. Seng peculiarity läit an der Tatsaach, datt Donnéeën fir wéi laang gespäichert ass wéi d'Basis Elektroden vun all Kontroll Schlëssel stierze ass. Moment méi spéit huelen mir eng enk kucken. Flash Erënnerung ass vun dëser geschitt ouni. Vitesse Stockage Problem ouni engem externen Volt Wénkel gekäppt Gate transistors geléist benotzt. An der Verontreiung vun externen Afloss Vitesse vun esou engem Apparat kann genuch laang Zäit (op d'mannst 10 Joer) gehaalen gin. Fir dem Prinzip vun Operatioun erklären, ass et néideg der un dât Grondlage vun elektronesch Apparater.

Wéi gesäit e Transister?

Dës Elementer hunn esou oft benotzt ginn, datt et seelen ass, wou si net benotzt. Och festgehalen Liichtjoer schalt ass heiansdo geleete Schlësselen Formatioun. Wéi huet d'klassesch Transister arrangéiert? Et baséiert op zwee semiconductor Material, eng vun deenen huet elektronesch Leit (n), an déi aner Lach (p). Zu engem einfachen Transister kritt, ass et néideg Materialien ze kombinéieren, wéi npn an all Spär Plug Elektroden. Op ee extrem Elektroden (emitter) Volt gëtt applizéiert. Si kënnt duerch den Operateur der Hellegkeet vun der Potential op der Moyenne Wasserstoff (huel) kontrolléiert gin. Ewechhuele existeiert op der Sammelstécker - drëtten extrem Kontakt. Et ass kloer, dass mat den Ofbau vun der Basis Volt zu engem neutrale Staat zréck gëtt. Mee Transister Apparat mat engem Wénkel gekäppt Gate Basisdaten fleshek liicht anescht: déi erfollegräich semiconductor huel Material ass eng dënn Layer vun dielectric gesat an de Wénkel gekäppt Gate - zesumme se Form vun engem sougenannten "bluddeg". Wann de plus Volt un der Basis vun der Transister Kandidatur vun laanschtgoungen engem aktuell opgemaach gin, datt null un enger Logik entsprécht. Mä wann der Gate engem eenzege fir säi Vitesse (Elektronen), neutralizes hiren Terrain den Effet vun Basis-Gebai - den Apparat gëtt refuséieren ze zougemaach (logesch Eenheet). Vun der Volt tëscht dem emitter Moossen an der Sammelstécker kann der Präsenz (oder keng) vun der Vitesse op de Wénkel gekäppt Gate bestëmmen. Ausgebaut d'Vitesse op der Gate mat der Tunnel Effet (Fowler - Nordheim). Bis de Besoin ewechzehuelen déi héich Vitesse (9) fir en negativen Volt an eng positiv Basis ze emitter ze maachen. D'Vitesse ass wäert d'Gate verloossen. Zanter der Technologie permanent entwéckele ass, huet et gouf proposéiert den Ausdrock an eng konventionell Transister mat de Wénkel gekäppt Gate ze kombinéieren. Dëst erlaabt de "dësen" e niddereg Volt Vitesse ass an engem méi kompakt Apparat (net néideg ze isoléieren) produzéiere. USB Flash Erënnerung benotzt dëse Prinzip (NAND Structure).

Also, déi vun dësen transistors am Bléck kombinéiert, war et méiglech eng Erënnerung ze schafen an deem d'opgeholl Daten Réimech ouni Ännerung fir Joerzéngten erëmgewielt ass. Vläicht déi eenzeg Risque vu modern Flash fiert - d'Zuel vun schreiwen kreesleef Limite.

Similar articles

 

 

 

 

Trending Now

 

 

 

 

Newest

Copyright © 2018 lb.birmiss.com. Theme powered by WordPress.